14 MeV 中子引发 SRAM 器件单粒子效应实验研究

摘要：

在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM 器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法，获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应截面。前者与文献的单粒子效应截面在误差范围内一致，验证了实验方法的科学性和可行性。后者与由效应机制出发获得的理论分析结果在量级上一致，对实验结果给出了定性的解释。

关键词：高压倍加器、SRAM、单粒子效应、截面

分类号：O571.1(原子核物理学、高能物理学)

在线出版日期：2015-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：171-175