离子径迹结构对SRAM单粒子翻转截面的影响

摘要：

本文基于北京HI-13串列加速器的单粒子效应测试终端对0.15μm工艺的SRAM 进行了单粒子效应测试，再次验证了在截面曲线接近饱和区部分，高能离子翻转截面低于低能离子翻转截面的现象。采用Geant4对其进行模拟研究，结果表明，相同LET 条件下高能离子可在较远处沉积能量，更易使同一存储单元内相邻的节点共享电荷发生单粒子翻转恢复而减小其单粒子翻转截面，而低能离子进行单粒子效应测试的结果相对保守。

关键词：单粒子翻转、离子径迹、电荷收集、扩散、电荷共享

分类号：O59(应用物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11105230

在线出版日期：2014-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1496-1501