CMOS器件SEL效应电路级防护设计及试验验证

摘要：

利用脉冲激光单粒子效应试验装置，开展了两种 CMOS SRAM 器件 IDT71V416S 和K6R4016V1D单粒子闭锁（SEL）效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件，分析两种CMOS器件的闩锁响应特性，设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路，并探讨了两种防护电路的适用范围及限流电阻、恒流源电流的选取。利用脉冲激光和重离子辐照试验验证了两种防护方法的防护效果。结果表明，当器件工作电流和闩锁维持电流相差不大时，加入限流电阻虽能降低闩锁电流幅值，但电路不能自动退出闩锁状态。恒流源限流防护电路不但降低了SEL电流的幅值，而且自动退出闩锁状态，能更有效地减缓CMOS器件电路级闩锁效应。

关键词：CMOS器件、单粒子闭锁效应、防护电路、脉冲激光

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目40974113；基础科研项目资助A1320110028；中国科学院支撑技术项目资助110161501038；中国科学院知识创新工程青年基金资助项目O82111A17S

在线出版日期：2014-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：721-726