GaN 器件辐伏同位素电池的电输出性能研究

摘要：

利用63 Ni和3 H源分别辐照两种可作为辐伏电池换能单元的GaN基PiN结型器件，其输出短路电流（Isc ）和开路电压（Voc ）分别为：对于63 Ni源，Isc ＝5.4 nA ，Voc ＝771 mV ；对于3 H 源，Isc ＝10.8 nA ， Voc＝839 mV。其开路电压显著优于单晶硅基器件辐伏电池的输出结果，但与理论值有一定的差距。可能是GaN材料生长过程中产生的缺陷、电极欧姆接触不良以及器件结构等原因，导致短路电流和开路电压未能达到期望值。这些是提升GaN换能单元辐伏电池的电输出性能应解决的重要技术问题。

关键词：辐伏同位素电池、GaN器件、电输出性能

分类号：TM910.2

在线出版日期：2014-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2365-2369