基于脉冲激光单粒子效应的二次光斑研究

摘要：

脉冲激光可有效模拟重离子触发芯片的单粒子效应。本工作在应用背部激光试验方法辐照芯片时观察到了二次光斑现象，通过Si衬底和Si晶圆片研究了芯片单粒子效应实验中二次光斑的成因。实验结果表明，二次光斑主要是由于激光在芯片有源区附近的金属布线层反射形成的。通过测量芯片的Si衬底厚度以及激光触发芯片单粒子效应时的聚焦深度，实验验证了二次光斑是在金属布线层区域形成的。

关键词：二次光斑、脉冲激光、硅衬底、单粒子效应

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目40974113；中国科学院知识创新工程青年基金资助项目O82111A17S；基础科研项目资助A1320110028；中国科学院支撑技术资助项目110161501038

在线出版日期：2014-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2361-2364