体硅CMOS电路瞬时电离辐射下的自洽防闩锁机理分析

摘要：

体硅互补型金属-氧化物-半导体集成电路含有寄生4层可控硅结构，当工作在瞬时γ射线脉冲辐射环境下时易发生闩锁，导致电路失效，甚至烧毁，所以电路防闩锁研究意义重大。本文通过求解寄生晶体管中少数载流子连续性方程的方法，分析了辐射光电流在寄生4层可控硅结构中的持续时间，提出了集成电路自洽防闩锁的条件，并得到了自洽防闩锁条件随γ射线剂量率的变化关系。对4层可控硅等效电路和体硅集成电路分别进行了瞬时辐射实验，实验结果与理论分析结果基本一致，验证了理论分析的正确性。

关键词：瞬时辐射、闩锁、剂量率、CMOS集成电路

分类号：TN431;TN792(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1637-1641