用于 n／γ混合场测量的涂硼电离室研制

摘要：

研制了一种能同时测量混合场中γ和中子注量率的涂硼电离室，并实验测试了其性能。涂硼电离室由两个大小和结构一致的腔室组成：1个仅对γ灵敏，另1个对γ与中子均灵敏。用强度为2.7×107 s-1的Am-Be源测得电离室的中子灵敏度达9.2×10-16 A/（cm-2· s-1），在剂量率为5.24μGy/h的137 Csγ场中，电离室的γ灵敏度达7.36×10-16 A/（MeV · cm -2· s-1）。涂硼电离室 I-V 曲线坪长为600 V ，坪斜小于4％/100 V ，在工作电压为-400 V时，其γ补偿修正系数＜5％，可用于核设施周围的混合场监测。

关键词：涂硼电离室、中子灵敏度、I-V 曲线、混合场

分类号：TL816.3(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

在线出版日期：2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1624-1628