GaN核辐射探测器的性能研究

摘要：

GaN作为第3代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、抗辐射能力强等特点.制备了GaN半导体探测器,并应用该探测器对241Am α粒子能谱进行测量,得到α粒子能谱的能量分辨率约30％0.同时,以Si半导体探测器为标准,对GaN探测器进行了能量及探测效率的测量,得到探测器的探测效率最高可达80.1％.最后,应用Keithley 2635静电计对GaN探测器的I-V曲线等进行测试,发现在-15 V偏压下,GaN探测器的本底电流密度小于70 nA/cm2.

关键词：GaN核辐射探测器、能谱、α粒子

所属期刊栏目：47

分类号：TL81(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

在线出版日期：2013-07-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：884-887