散射大厅内中子导管屏蔽计算

摘要：

中子导管将冷中子束从冷源引出至散射大厅,为保证大厅工作人员的安全,提供低本底实验环境,必须设计相应的屏蔽体进行屏蔽.在已有中子导管屏蔽体初步结构设计方案的条件下,联合McStas、MCNP,采用分段计算的方法对其进行了屏蔽计算,得到了散射大厅内中子导管周围不同位置处的辐射剂量率,验证了中子导管屏蔽体结构设计方案的有效性,为进一步开展工程设计提供了依据.

关键词：中子导管、McStas、MCNP、屏蔽计算

所属期刊栏目：47

分类号：O571.5(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目2009-B0103004

在线出版日期：2013-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：290-294