SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究
定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关.设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在“强光一号”加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究,对比了各功能输出在不同剂量率下的功能错误情况,结果未发现敏感配置位数对功能错误阈值有任何影响,验证了定性分析结论.
瞬时电离辐射、功能错误、敏感配置位
47
TN431;TN792(微电子学、集成电路(IC))
2013-03-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
157-160