硅三极管电子辐照的残余电压效应

摘要：

研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5 MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013～1.2×1016 cm-2.实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大.认为是由于辐照后产生的缺陷能级导致的去载流子效应使得BC结自建电势差变化量大于BE结,以及缺陷能级使BC结导带差变化量大于BE结这两方面原因引起的.

关键词：硅三极管、电子辐照、残余电压

所属期刊栏目：46

分类号：TN325.2;TL99(半导体技术)

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：881-884