CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究

摘要：

对TCD1209线阵CCD进行能量为1.1 MeV的电子辐照试验,采用两种不同的注量率辐照后,对器件进行常温退火试验,在辐照与退火过程中考察CCD的光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律.结果表明,CCD受电子辐照后主要产生电离总剂量损伤,在不同注量率电子辐照下的辐射损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应.

关键词：线阵CCD、电子辐照、电离总剂量效应、时间相关效应

所属期刊栏目：46

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院“西部之光”博士基金

在线出版日期：2012-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：346-350