CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究
对TCD1209线阵CCD进行能量为1.1 MeV的电子辐照试验,采用两种不同的注量率辐照后,对器件进行常温退火试验,在辐照与退火过程中考察CCD的光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律.结果表明,CCD受电子辐照后主要产生电离总剂量损伤,在不同注量率电子辐照下的辐射损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应.
线阵CCD、电子辐照、电离总剂量效应、时间相关效应
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TN43(微电子学、集成电路(IC))
中国科学院“西部之光”博士基金
2012-06-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
346-350