不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应
对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验.研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小.NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次.对出现这一实验结果的机理进行了探讨.
NPN双极晶体管、60Coγ辐照、偏置、低剂量率辐照损伤增强
45
TN322.8(半导体技术)
模拟集成电路国家重点实验室资助项目91400090403070C09
2011-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
217-222