54HC系列CMOs器件脉冲与稳态γ总剂量效应异同性研究

摘要：

针对现有脉冲辐射模拟装置在模拟真实环境方面累积剂量偏小的特点,开展了54HC系列CMOs器件脉冲Y与60 Co γ总剂量效应损伤异同性研究,获取器件效应损伤因子,以期通过对稳态辐射环境下电路总剂量损伤阈值的测量预估脉冲高剂量率环境下的总剂量损伤阈值.研究结果表明,无论选择哪种敏感参数进行效应损伤异同性研究,稳态辐照造成的总剂量损伤总是高于脉冲辐照,即稳态总剂量引起的器件阈值电压漂移、静态功耗电流增加比脉冲总剂量引起的大.

关键词：54HC CMOS、脉冲总剂量损伤、效应损伤因子

所属期刊栏目：45

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2011-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：84-89