基于MCNP程序的铅屏蔽层对γ射线屏蔽性能研究
为了计算不同厚度铅对不同能量γ射线的屏蔽性能,本工作建立了两种模型,然后使用MCNP程序对这两种模型进行模拟计算,进而得到了铅的屏蔽性能.计算结果表明:相同厚度的铅屏蔽层对低能γ射线的屏蔽能力强于高能,随着γ射线能量的增大,屏蔽能力呈下降趋势.作为验证,本工作计算了单向源、面源、各向同性面源情况下铅的屏蔽性能,还通过改变PHYS卡计算铅的屏蔽性能,得到的结果与上述结论一致.
MCNP程序、γ射线、衰减倍数、铅
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TL818.4(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)
北京市科学技术研究院萌芽项目资助
2011-01-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
587-590