瞬时电离辐射剂量率对BiMOS运放输出扰动时间的影响

摘要：

对两种不同类型BiMOS运算放大器(JFET-Bi,PMOS-Bi)γ瞬时电离辐射效应进行研究.结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较高时,扰动时间呈现出饱和特性.另外,输入信号不同,输出扰动时间随剂量率的变化也会有差异.

关键词：BiMOS、集成运算放大器、γ瞬时电离辐射、扰动时间、剂量率

所属期刊栏目：44

分类号：TN431;TN792(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2011-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：545-549