不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应
对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Co γ辐照效应和退火特性研究.结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管.
NPN双极晶体管、60Coγ辐照、基区掺杂浓度、低剂量率辐照损伤增强效应
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TN322.8(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目10975182
2011-01-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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