GaN肖特基核辐射探测器对X射线的响应时间特性研究
通过制作大面积GaN肖特基X射线探测器,研究了GaN肖特基探测器对X射线的时间响应特性.实验采用Fe掺杂的高阻自支撑GaN片来制备器件,对不同偏压下的时间响应进行了测试.针对所测得的实验结果,对其内部机理进行了分析,提出了1个GaN肖特基探测器对X射线照射下的时间响应的理论模型,得到非常好的拟合结果.实验发现,由于高阻层的存在,GaN肖特基探测器具有很高的信噪比,即使在可能的光淬灭效应的影响下,探测器在200 V反向偏压下的信噪比仍可达到80左右.
GaN、肖特基探测器、X射线、响应时间
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TN304.23(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目10875084;江苏省自然科学基金资助项目BK2008174;苏州市应用基础研究计划资助项目SYJG0915;国家重点基础研究发展计划资助项目G2009CB929300
2011-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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