光电耦合器4N49单粒子瞬态脉冲效应的试验研究

摘要：

通过脉冲激光模拟单粒子效应,对光电耦合器4N49的单粒子瞬态脉冲(SET)效应进行了试验研究.在10 V工作电压下,获取了4N49在特定线性能量传输(LET)值下的SET波形特征及其变化规律,得到了器件SET效应的等效LET阈值为10 MeV·cm2·mg-1,而饱和截面数值则高达1.2×10-3 cm2.试验验证了4N49的SET效应对后续数字电路的影响状况,定量研究了SET效应减缓电路的有效性,通过设计合理的电路参数可将器件在5 V工作电压下的SET效应阈值由7.89 MeV·cm2·mg-1提高至22.19 MeV·cm2·mg-1.4N49的SET效应试验研究为光电耦合器SET效应的测试及防护措施的有效性验证提供了新的试验方法.

关键词：脉冲激光、光电耦合器、单粒子瞬态脉冲

所属期刊栏目：44

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院研究生科技创新与社会实践资助专项092131A61S;中国科学院知识创新工程青年基金资助项目O82111A17S

在线出版日期：2010-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：764-768