GaN核辐射探测器材料与器件研究进展
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展.通过模拟计算,总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求.同时,根据目前的研究现状,提出了在GaN材料生长和器件制作方面存在的主要技术问题及其解决方向.
GaN、核探测器、金属有机化学气相淀积、氢化物气相外延
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TN304.2(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目10875084;江苏省自然科学基金资助项目BK2008174;苏州市应用基础研究计划资助项目SYJG0915;国家重点基础研究发展计划资助项目G2009CB929300
2010-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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