Altera SRAM型现场可编程门阵列总剂量辐射效应
通过比较不同模块的输出波形、不同源程序的功耗电流以及输出端口的高、低电平随总剂量的变化关系,研究了Altera SRAM型现场可编程门阵列(FPGA)器件在~(60)Co γ源辐照下的总剂量辐射效应.实验结果表明:器件的功能和功耗电流随总剂量的变化不同;不同模块随总剂量的变化关系相似,不同源程序的功耗电流随总剂量的变化趋势一致;总剂量辐照实验时功耗电流可作为判断器件失效的1个敏感参数.
SRAM型现场可编程门阵列、(60)Coγ源、总剂量效应、辐射
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V520;TN47(航天术)
2010-03-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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