InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应
本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104 Gy.结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性、I-V特性及中心波长基本未变化.而多量子阱激光二极管组件因包含光学窗口、耦合透镜及光纤等附属光学元件,这些附属元件受γ辐照后光学性能下降,最终导致激光二极管组件输出光功率随总剂量增大而下降,停止辐照后,不需加偏置,在室温下即能发生退火,使得斜率效率逐渐回升.
多量子阱激光二极管、γ射线、辐射效应
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TN248.8(光电子技术、激光技术)
2010-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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