反熔丝型现场可编程门阵列单粒子锁定实验研究
利用单粒子效应脉冲激光和锎源模拟试验系统,对反熔丝型A42MX36现场可编程门阵列进行了单粒子锁定敏感性评估试验.脉冲激光试验确定了单粒子锁定脉冲激光阈值能量及其等效重离子LET、锁定电流等敏感参数;锎源模拟试验确定了单粒子锁定截面.对试验中出现的由单粒子绝缘击穿和单粒子伪锁定引起的电流跃变现象进行了讨论和分析.
A42MX36现场可编程门阵列、电流跃变、单粒子绝缘击穿、单粒子伪锁定
43
TN406(微电子学、集成电路(IC))
真空低温技术与物理国家级重点实验室基金资助项目9140C5503070803
2009-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
855-859