铀表面脉冲偏压MSIP铝镀层的电化学腐蚀行为

摘要：

采用脉冲偏压磁控溅射离子镀(MSIP)技术在贫铀表面制备铝镀层,利用电化学测试技术、扫描电镜(SEM)及X射线能谱(EDS)对铝镀层在50μg/g Cl-水溶液中的电化学腐蚀行为进行研究.结果表明:铝镀层的腐蚀电位-534.8 mV高于贫铀的腐蚀电位-641.2 mV,它对贫铀是一种阴极性镀层;镀铝贫铀样品的极化电阻和电化学阻抗幅值远大于贫铀,腐蚀电流远小于贫铀,铝镀层对贫铀基体具有良好的防腐蚀性能;镀铝贫铀样品的腐蚀特征为局部腐蚀,并出现镀层破裂、剥落,抗腐蚀性能变差;铝/铀界面伪扩散层具有一定的抗腐蚀能力.

关键词：贫铀、铝镀层、电化学腐蚀、磁控溅射离子镀、脉冲偏压

所属期刊栏目：43

分类号：TG174.36(金属学与热处理)

资助基金：表面物理与化学国家重点实验室基金资助项目9140c660201080c6603

在线出版日期：2009-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：594-599