离子径迹模板辅助法制备InSb纳米线
以厚度30 μm的聚碳酸酯薄膜为母板,利用加速器提供的高能重离子对其进行辐照,辐照过的模板经紫外光敏化后置于蚀刻液中进行蚀刻以获得重离子径迹模板.采用电化学共沉积技术在重离子径迹模板中成功制备了InSb纳米线.通过扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行观察和分析,结合X射线衍射(XRD)研究沉积电位对InSb纳米成分的影响,最终获得了重离子径迹模板中制备InSb纳米线所需的最佳电化学沉积条件.
重离子径迹模板、电化学沉积、InSb纳米线
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O646.5;O649.4(物理化学(理论化学)、化学物理学)
中国科学院"西部之光"联合学者项目;国家自然科学基金资助项目10775161,10375079,10575125
2008-12-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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295-299