星用功率 MOSFET 器件单粒子烧毁试验研究
针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062,利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统,在252 Cf 模拟系统上开展了单粒子烧毁评估试验研究.通过试验研究获得了被试器件单粒子烧毁的电压阈值,为被测器件在卫星型号的使用提供技术参考依据.
功率MOSFET器件、单粒子烧毁、锎源
42
TN406(微电子学、集成电路(IC))
2009-03-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1125-1129
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功率MOSFET器件、单粒子烧毁、锎源
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TN406(微电子学、集成电路(IC))
2009-03-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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