T(d,n)4 He 强流中子发生器的中子能谱和角分布模拟计算

摘要：

采用将厚靶分割成薄靶的方法对厚氚钛靶、260 keV 氘束流能量条件下T(d,n)4 He 反应中子源的能谱和角分布进行计算.以分割法计算得到的能谱和角分布数据为基础,建立了D-T中子源MonteCarlo 模拟抽样模型,在考虑中子发生器各元件材料及实验大厅墙壁对快中子的慢化、散射和吸收的条件下,采用MCNP程序对兰州大学3×1012 s-1 强流中子发生器260 keV氘束流能量下的中子能谱和角分布进行了模拟,给出了模拟结果.为检验模拟结果的可靠性,与实验测量能谱进行了比较,MonteCarlo 模拟谱和实验测量谱基本符合.

关键词：强流中子发生器、中子能谱、中子角分布、MCNP模拟

所属期刊栏目：42

分类号：O571.53(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：甘肃省自然科学基金资助项目ZS001-A25-005-Z;国家经贸委高技术开发资助项目96BK-474

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1073-1076