多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺

摘要：

采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向.

关键词：电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、多晶硅薄膜、低温生长

所属期刊栏目：41

分类号：TN304.8(半导体技术)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金200611AA03;辽宁省原材料特种制备技术重点实验室基金2005100A05

在线出版日期：2008-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：436-440