10.3969/j.issn.1000-6931.2007.04.022
浮栅ROM器件γ射线、X射线和中子辐射效应实验研究
本工作涉及浮栅ROM器件AT29C256的γ射线、X射线和反应堆快中子辐照实验测量.测量结果表明,浮栅ROM器件γ射线、X射线和快中子辐照效应是典型的总剂量效应.错误发生存在剂量阈值,开始出错时的错误数及错误地址不确定,错误数随辐照剂量或注量的增大而增加.
浮栅ROM器件、γ射线、X射线、中子、总剂量效应
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TN386.1(半导体技术)
2007-09-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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