10.3969/j.issn.1000-6931.2006.01.005
钨-铜合金影锥屏蔽体屏蔽性能的MCNP程序计算
利用MCNP程序对影锥屏蔽体的屏蔽性能进行计算和深入分析.结果表明:影锥屏蔽体对于周围及样品造成的散射中子本底影响低于1.4%.中子穿透影锥屏蔽体而产生的γ射线泄漏率为10-16~10-14数量级,对于中子散射微分截面的实验测量,其影响可以忽略不计.W-Cu合金影锥屏蔽体的设计模型符合设计标准,就飞行距离为4~10 m的范围而言,影锥屏蔽体可使源中子注量衰减10-7,屏蔽效果显著.
影锥屏蔽体、钨-铜合金、MCNP程序、中子注量
40
O571.435(原子核物理学、高能物理学)
2006-03-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
21-25