10.3969/j.issn.1000-6931.2005.03.002
D-T中子照射下含硼聚乙烯球泄漏γ能谱测量
为了更清楚地了解含硼聚乙烯的屏蔽性能,用反冲电子法测量了D-T中子照射下的不同B4C含量的聚乙烯球的泄漏γ能谱,并用MCNP/4A程序和ENDF/B-Ⅴ库数据进行模拟计算.实验测量值和计算值在误差范围内符合得较好.
含硼聚乙烯、泄漏γ能谱、D-T中子、MCNP/4A程序
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O571.5(原子核物理学、高能物理学)
2005-07-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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