10.3969/j.issn.1000-6931.2003.06.007
静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟
采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算.对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性.通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷7.73×10-14 C.
单粒子翻转、线性能量传输、电荷漏斗模型
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TN386.1(半导体技术)
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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