He+、N+注入GaN的背散射和电学特性研究

摘要：

采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的物理性质和结晶品质.研究了He+、N+注入所引起的GaN的电阻变化和与退火温度的关系.在不同温度下,氮气保护退火 30 min,用Hall法测量电阻率.测量结果表明:GaN 的电阻率增大7～8个数量级.在200～400 ℃下退火,电阻率变化最大.经高温(600～700 ℃)退火后,电阻率仍比注入前大3～4个数量级.

关键词：GaN、离子注入、背散射/沟道、电阻率、辐照损伤

所属期刊栏目：37

分类号：TN204(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：28-30