10.3969/j.issn.1000-6931.2002.04.032
电沉积法制备镉靶
对加速器生产111In所用镉靶制备工艺进行了研究.通过研究电沉积过程中影响Cd靶质量及厚度的各种因素,确定了最佳工艺条件.所研制的镉靶厚度大于57 mg/cm2,表面光亮、致密、牢固.
电沉积、电沉积槽、Cd靶
36
TL503.4(加速器)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
406-408
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10.3969/j.issn.1000-6931.2002.04.032
电沉积、电沉积槽、Cd靶
36
TL503.4(加速器)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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