自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析

摘要：

以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度为3～4 μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用.制备过程中,重掺杂B杂质的引入会对获得的Si平面薄膜的应用带来影响.本工作研究采用次级离子质谱(SIMS)测量Si平面薄膜中B杂质的浓度分布,结合在软X光波段下同步辐射直接测得的Si薄膜的透过率结果,分析B等杂质对Si平面薄膜性能的影响.

关键词：Si平面薄膜、重掺杂、自截止腐蚀、杂质分布

所属期刊栏目：36

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-416-3-6.6,863-416-3.4.7

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：364-366