激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜

摘要：

研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术，并结合自截止腐蚀技术。Si平面膜厚度为3～4μm，表面粗糙度为几十nm。采用离子束刻蚀工艺，在Si膜表面引入25μm×25μm的网格图形或线宽为5μm的条状图形，获得了相应图形的Si刻蚀膜。探讨了扩散、氧化、腐蚀工艺对自支撑Si平面薄膜的表面粗糙度的影响，研究了离子束刻蚀参数对刻蚀图形形貌的影响。

关键词：激光印痕靶、自截止腐蚀、离子束刻蚀

所属期刊栏目：35

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-416-3-6.6

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：300304