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10.3969/j.issn.1000-6931.2001.02.015

沉积TiB2薄膜的电极真空绝缘性能实验研究

引用
利用由一定结构的球面(阴极)-平板(阳极)组成的真空间隙,模拟特种电真空器件中电极间的微放电过程。用离子束辅助沉积(IBAD)法,在阴极球面上沉积出高结合强度的晶化TiB2薄膜。实验证明:在高达1000℃的温度下,相比不锈钢材料,薄膜表面几乎不被氧化;在单次脉冲高压作用下和在经受数百次高能微粒子轰击后,仍呈现出弱放电特征,既提高了耐压能力,又降低了脉冲电源的动态负载。

微放电模拟、表面改性、单次放电电流参数

35

O484.5;O484.1(固体物理学)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

179-183

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原子能科学技术

1000-6931

11-2044/TL

35

2001,35(2)

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