10.3969/j.issn.1000-6931.2000.04.008
星用典型CMOS器件54HC0460Co源辐射效应研究
给出了加固和非加固54HC04电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果,探讨了电流转移曲线、辐射感生漏电流、阈值电压、转换电压随辐射剂量的变化关系.
辐射效应、阈值电压、总剂量、剂量率
34
TN386.1;O571.33(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
334-338
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10.3969/j.issn.1000-6931.2000.04.008
辐射效应、阈值电压、总剂量、剂量率
34
TN386.1;O571.33(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
334-338
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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