功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟

摘要：

建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的.

关键词：功率MOS器件、单粒子栅穿、PSPICE电路模拟

所属期刊栏目：34

分类号：TL99

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：161-165