晶格氧对氮化硅陶瓷热导率影响的研究进展

摘要：

随着集成电路和半导体行业的快速发展,具有优异机械性能和热物理性能的氮化硅陶瓷成为芯片基板的重要候选材料.然而商业氮化硅陶瓷的致密度及热导率较低,因此,研发高质量、低成本的制造工艺是当前的研究热点.本文以晶格氧含量对氮化硅陶瓷热导率的影响为分类依据,分别概述了原材料、烧结助剂、烧结工艺等对降低晶格氧含量、提高氮化硅陶瓷热导率的国内外研究现状.引入碳作为烧结助剂可还原晶体中的氧元素提高热导率,这种方法成本低,对原材料要求不高,有望成为工业化生产高热导率氮化硅陶瓷的方法.

关键词：氮化硅、基板材料、热导率、半导体

所属期刊栏目：39

分类号：TQ174;TB383;TG146.21

在线出版日期：2022-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：307-313