碳化硅纳米线拉伸断裂及断裂表面接触的分子动力学模拟

摘要：

一维纳米材料的自愈合对于工业应用有着重要的意义,而晶体SiC纳米线则是一种拥有优异性能一维纳米材料.基于分子动力学方法,采用Tersoff势函数,对半径25 (A),长150 (A)的晶体SiC纳米线进行拉伸模拟,提取单个Si原子的位置和势能变化,发现原子断键后会形成悬键,并观察到了重新键合的现象;之后使纳米线完成了断裂表面的接触,发现了C-Si和Si-Si原子对间重新键合的现象,得到了自愈合后的纳米线.通过对单原子的势能变化进行分析,发现重新键合后的原子势能会降低,而系统为了达到稳定状态,会将悬键的势能驱动到最低,重新键合则是达到该状态的最有效路径,SiC纳米线也因此完成了自愈合.

关键词：SiC纳米线、分子动力学模拟、重新键合、势能

所属期刊栏目：36

资助基金：大连市杰出青年科技人才2016RJ05

在线出版日期：2019-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：283-288