10.3969/j.issn.1003-7292.2007.02.006
Si3N4陶瓷的烧结及其显微结构
本文主要研究了Si3N4-MgO-CeO2系陶瓷的常压烧结及其显微结构.MgO和CeO2的组合是Si3N4陶瓷的有效烧结助剂.常压烧结Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,最佳成分为Si3N4+5%MgO+5%CeO2,在1800℃保温60min烧结后,其最大相对密度为98.5%,抗弯强度为950MPa.利用XRD、TEM和EDAX分析,确定了烧结Si3N4-MgO-CeO2系陶瓷中玻璃相的主要成分为铈硅酸盐,几乎不含MgO.
氮化硅、烧结、显微结构
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TG1(金属学与热处理)
教育部科学技术研究项目02049
2007-07-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
88-90,102