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10.3969/j.issn.1003-7292.2003.03.008

氮化硅陶瓷的残余应力和抗弯强度特性

引用
利用X射线衍射方法测量了经不同磨削的氮化硅陶瓷表面残余应力及其对抗弯强度的影响.结果表明,磨削工艺所引入的残余应力是拉应力,显著降低陶瓷抗弯强度.

XRD、残余应力、磨削、陶瓷

20

TQ174

2003-10-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

161-164

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1003-7292

43-1107/TF

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