一种利用体偏置改善温度特性的电流源

摘要：

基于130 nm绝缘体上硅工艺技术,针对工艺偏差对器件特性带来的影响,提出了一种可跟随工艺偏差自动调整温度系数的电流源;针对交叉耦合电流镜,引入自适应体偏置电路来改善电路在不同工艺角下的温度系数;仿真结果表明:-40～85℃温度范围内,工艺偏差使得所提电流源温度系数偏离典型工艺角下的值为22％,而无体偏置电流源偏离达100％之多,所提电流源在不同工艺角下平均温度系数为91 ppm/℃,比无体偏置电流源温度系数降低50％.

关键词：绝缘体上硅、电流源、体偏置、温度系数

所属期刊栏目：37

分类号：TN495(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学青年基金资助项目61804053

在线出版日期：2020-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：7-12