ZnSe和CuXSe2(X=Al,Ga,In)结构和光学性质的研究

摘要：

利用赝势平面波基组的密度泛函理论方法,首先优化太阳能材料ZnSe和CuXSe2(X=Al,Ga,In)的晶体结构,得到晶格参数、键长,并预测了CuXSe2带隙和光学性质,带隙按照Al→Ga→In依次减小,但晶格参数和形变参数依次增加;通过光学性质中介电函数、吸收系数,反射率和光电导率分析发现,吸收系数的最强峰都在紫外区域,在3种晶体中光学性能按照Al→Ga→In依次增强.

关键词：密度泛函方法、半导体、带隙、光学性质

所属期刊栏目：34

分类号：TM914.4

资助基金：河南省高等学校重点科研项目计划15A140037

在线出版日期：2017-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：84-89