10.11684/j.issn.1000-310X.2016.03.005
基于MgxZn1-xO薄膜固体装配型体声波谐振器
本文研制了一种基于磁控溅射掺镁氧化锌(MgxZn1-xO)压电薄膜的S波段固体装配型体声波谐振器(SMR-FBAR).相比传统的氧化锌(ZnO)薄膜,MgxZn1-xO具有高纵波声速,高电阻率优点,而且Mg原子以替位或填隙的方式进入晶格,没有改变ZnO的铅锌矿结构.通过优化磁控溅射参数的方法,获得了c轴方向生长良好的MgxZn1-xO薄膜,并成功制得了串联谐振频率以及并联谐振频率分别在2.416 GHz和2.456 GHz的谐振器,测得其有效机电耦合系数为4.081%,回波损耗(S11)为-23.89 dB.这种SMR机械强度高、可靠性高、尺寸小,具有可立体集成到CMOS芯片表面的优势.
掺镁氧化锌薄膜、固体装配型、薄膜体声波谐振器、S波段、集成电路
35
TN304.21(半导体技术)
国家科技项目2011AA050504
2016-09-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
212-218