CQ-4装置电磁驱动能力分析
利用磁流体力学程序对流体物理研究所设计研制的电磁驱动装置 CQ-4在充电电压分别为75.6kV、80kV、85.1kV情况下装置发射飞片的能力进行了模拟计算。CQ-4装置设计的输出电流峰值为3~4MA，上升时间小于500ns（10%~90%），该装置主要用于磁驱动准等熵压缩与高速飞片发射实验研究。计算给出了三种充电电压下装置驱动不同尺寸飞片的结果，从而指出只有合适的厚度才能获得最佳的驱动效果，初步估计在 CQ-4上可将质量为数克的飞片加速到10~13km/s而不会被融化，其形成的射流速度可达20km/s。由于本文的计算没有考虑装置结构系数，计算得到的飞片速度比实验中获得的结果高。
磁流体力学、高速飞片、脉冲功率装置
TN249(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金11172277；11205145；中国工程物理研究院科学发展基金2010A0201006
2013-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
932-935
