紫外激光刻蚀单晶硅片工艺的试验研究

摘要：

紫外激光刻蚀单晶硅片时,热传导作用和等离子热效应等多种作用机理共同决定刻蚀效果,热传导作用导致材料的熔化和气化,等离子体热效应导致材料破碎和抛出.从理论上分析各种作用机理中相关工艺参数的作用,并针对不同的工艺参数进行测试,综合分析各个工艺参数在刻蚀过程中对刻蚀质量的影响,在此基础上,为寻找最优刻蚀工艺参数和最佳刻蚀效果提供指导原则,通过试验验证指导原则的合理性,并得到刻蚀硅片的最优刻蚀工艺参数.试验可知,单个激光脉冲的功率密度和频率对槽深和槽宽影响最大,单个激光脉冲的功率密度和扫描速度对槽的成形质量影响最大.

关键词：紫外激光;单晶硅硅片;刻蚀;工艺参数

所属期刊栏目：41

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2021-12-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：974-978