皮秒激光脉冲串对单晶硅切割质量影响

摘要：

利用紫外皮秒激光器脉冲串模式对单晶硅材料进行切割测试研究,分析了不同子脉冲数量情况下单脉冲能量变化对热影响区大小、表面形貌效果、切缝宽度以及切割深度的影响.研究结果表明,脉冲串模式可以有效地降低热影响区,减少重熔层的产生.随着单脉冲能量的增加,脉冲串相比于单脉冲模式产生的热影区差值逐步增大,由增加脉冲串子脉冲数量而导致的热影响区减小效应愈加明显.当脉冲串中子脉冲数量为3或者5,脉冲能量为8 μJ时产生的热影响区和表面形貌效果与单脉冲模式下脉冲能量为2μJ的效果基本一致,并且切割深度是单脉冲模式切割深度的2倍.

关键词：脉冲串、单晶硅、热影响区、表面形貌

所属期刊栏目：40

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

资助基金：上海市科委项目项目编号:19511130402

在线出版日期：2021-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：878-883