紫外皮秒激光刻蚀体硅工艺研究

摘要：

针对体硅的加工应用,开展皮秒紫外激光三维刻蚀单晶硅工艺研究.通过工艺实验,得出在激光脉冲能量6μJ,固定XY点间距4μm,在单晶硅上刻蚀600μm×600μm方槽,单次去除的深度在1 μm,单次加工用时0.5s,加工的侧壁在14°,可以获得较好的200 μm深度的三维结构.皮秒紫外激光体硅加工在工艺流程上更为简洁,加工效率高,对环境污染小,设备成本小.

关键词：激光应用、体硅工艺、激光直接加工、紫外皮秒激光

所属期刊栏目：39

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

资助基金：上海市科委资助项目项目编号,18560730900,19511130400

在线出版日期：2020-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1002-1005